技術概要

薄膜測量系統

厚度範圍

* 100-500,000埃

光斑大小

* 5X目的50ym
* 10X目的25ym
* 40X目的6.5ym

重複性

* 5A +或 - 5％
*取決於薄膜型
*測量時間2.5秒（典型）

電影類型

*矽氮化物
*氧化物層上多晶矽
*上氧化物的氮化
*氧化矽
*消極抵制矽
*消極抵制上的氧化
*（厚膜）115V 50/60赫茲